K9F1G08U0F-SIB0 - 1 Gb x8 2.7 ~ 3.6 V 40 Mbps TSOP 48 -40 ~ 85 °C On-Chip ECC Sample
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Kurze Beschreibung
1 Gb x8 2.7 ~ 3.6 V 40 Mbps TSOP 48 -40 ~ 85 °C On-Chip ECC Sample
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Technische Daten für K9F1G08U0F-SIB0
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : K9F1G08U0F-SIB0
Hersteller : Samsung Semiconductor
Beschreibung : 1 Gb x8 2.7 ~ 3.6 V 40 Mbps TSOP 48 -40 ~ 85 °C On-Chip ECC Sample
Serie : DDR3
Dichte : 1 Gb
Org. : x8
VCC-Strecke : 2.7 ~ 3.6 V
I / O-Geschwindigkeit : 40 Mbps
Verpackung : TSOP
Pin, Anzahl der : 48
Temp. : -40 ~ 85 °C
ECC : On-Chip ECC
Produckstatus : Sample
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für K9F1G08U0F-SIB0
Datenblätter : K9F1G08U0F-SIB0.pdf
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