SIDC06D120H8X1SA2 - DIODE GEN PURP 1.2KV 7.5A WAFER
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 1.2KV 7.5A WAFER
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
371105 Pieces
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Technische Daten für SIDC06D120H8X1SA2
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SIDC06D120H8X1SA2
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 1.2KV 7.5A WAFER
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
7.5A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.97V @ 7.5A
Geschwindigkeit :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
27µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
Die
Supplier Device Package :
Sawn on foil
Betriebstemperatur - Übergang :
-40°C ~ 175°C
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SIDC06D120H8X1SA2
Datenblätter :
SIDC06D120H8X1SA2.pdf
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