APTM100H80FT1G - MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
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Kurze Beschreibung
MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für APTM100H80FT1G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : APTM100H80FT1G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V (1kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 960 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3876pF @ 25V
Leistung max : 208W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP1
Supplier Device Package : SP1
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für APTM100H80FT1G
Datenblätter : APTM100H80FT1G.pdf
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