IXFN50N120SIC - MOSFET N-CH

Hersteller Teilenummer

IXFN50N120SIC

Interne Teilenummer

AX-IXFN50N120SIC

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

12160 Pieces

Referenzpreis

~~USD 36.8832~~

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Technische Daten für IXFN50N120SIC

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IXFN50N120SIC

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 47A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 40A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 2mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 20V

Vgs (Max) : +20V, -5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1900pF @ 1000V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : -

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Chassis Mount

Supplier Device Package : SOT-227B

Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IXFN , IXFN50

Dokumente für IXFN50N120SIC

Datenblätter : IXFN50N120SIC.pdf

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