PDTA123ETVL - PDTA123ET/SOT23/TO-236AB

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PDTA123ET/SOT23/TO-236AB
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Technische Daten für PDTA123ETVL

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : PDTA123ETVL
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : PDTA123ET/SOT23/TO-236AB
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : PNP - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : -
Widerstand - Basis (R1) : 2.2 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : 2.2 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 30 @ 20mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 1µA
Frequenz - Übergang : -
Leistung max : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package : TO-236AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für PDTA123ETVL

Datenblätter : PDTA123ETVL.pdf

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