IRFHM792TR2PBF - MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
RoHS-Status
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Technische Daten für IRFHM792TR2PBF
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRFHM792TR2PBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 195 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 10µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6.3nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 251pF @ 25V
Leistung max : 2.3W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerVDFN
Supplier Device Package : 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IRFHM792TR2PBF
Datenblätter : IRFHM792TR2PBF.pdf
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