DMG7N65SCTI - MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB

Hersteller Teilenummer

DMG7N65SCTI

Interne Teilenummer

AX-DMG7N65SCTI

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

414615 Pieces

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Technische Daten für DMG7N65SCTI

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMG7N65SCTI

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB

Serie : Automotive, AEC-Q101

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 25.2nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 886pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 28W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : ITO-220AB

Paket / fall : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für DMG7N65SCTI

Datenblätter : DMG7N65SCTI.pdf

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