2N6798U - MOSFET N-CH 200V 18LCC

Hersteller Teilenummer

2N6798U

Interne Teilenummer

AX-2N6798U

Hersteller

Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 18LCC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

18296 Pieces

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Technische Daten für 2N6798U

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : 2N6798U

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 18LCC

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5.29nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 800mW (Ta), 25W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 18-ULCC (9.14x7.49)

Paket / fall : 18-CLCC

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für 2N6798U

Datenblätter : 2N6798U.pdf

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