IAUS300N08S5N012ATMA1 - MOSFET N-CH 80V 300A PG-HSOG-8-1

Hersteller Teilenummer

IAUS300N08S5N012ATMA1

Interne Teilenummer

AX-IAUS300N08S5N012ATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 80V 300A PG-HSOG-8-1

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für IAUS300N08S5N012ATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IAUS300N08S5N012ATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 80V 300A PG-HSOG-8-1

Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 300A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 275µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 231nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 16250pF @ 40V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 375W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-HSOG-8-1

Paket / fall : 8-PowerSMD, Gull Wing

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IAUS300 , IAUS300N08

Dokumente für IAUS300N08S5N012ATMA1

Datenblätter : IAUS300N08S5N012ATMA1.pdf

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