DDTD114EC-7-F - TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

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TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
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Technische Daten für DDTD114EC-7-F

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DDTD114EC-7-F
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 500mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
Widerstand - Basis (R1) : 10 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : 10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 56 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 500nA
Frequenz - Übergang : 200MHz
Leistung max : 200mW
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package : SOT-23-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : DDTD , DDTD11

Dokumente für DDTD114EC-7-F

Datenblätter : DDTD114EC-7-F.pdf

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