CSD19536KCS - MOSFET N-CH 100V TO-220

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MOSFET N-CH 100V TO-220
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für CSD19536KCS

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : CSD19536KCS
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V TO-220
Serie : NexFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 150A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 153nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 12000pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 375W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220-3
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für CSD19536KCS

Datenblätter : CSD19536KCS.pdf

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