EPC2001C - GANFET TRANS 100V 36A BUMPED DIE

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Hersteller
Kurze Beschreibung
GANFET TRANS 100V 36A BUMPED DIE
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
207450 Pieces
Referenzpreis
USD 1.3524
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Technische Daten für EPC2001C

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : EPC2001C
Hersteller : EPC
Beschreibung : GANFET TRANS 100V 36A BUMPED DIE
Serie : eGaN®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 36A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 5V
Vgs (Max) : +6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 900pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : -
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : Die Outline (11-Solder Bar)
Paket / fall : Die
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für EPC2001C

Datenblätter : EPC2001C.pdf

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