FDP10N60NZ - MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-FDP10N60NZ
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
221610 Pieces
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Technische Daten für FDP10N60NZ
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDP10N60NZ
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
Serie : UniFET-II™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1475pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 185W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220-3
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für FDP10N60NZ
Datenblätter : FDP10N60NZ.pdf
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