APTMC120AM16CD3AG - MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
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Technische Daten für APTMC120AM16CD3AG
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
APTMC120AM16CD3AG
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion :
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 5mA (Typ)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
246nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4750pF @ 1000V
Leistung max :
625W
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
D-3 Module
Supplier Device Package :
D3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für APTMC120AM16CD3AG
Datenblätter :
APTMC120AM16CD3AG.pdf
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