IRLMS2002TRPBF - MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für IRLMS2002TRPBF
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRLMS2002TRPBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 5V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1310pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : Micro6™(SOT23-6)
Paket / fall : SOT-23-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IRLMS2002TRPBF
Datenblätter : IRLMS2002TRPBF.pdf
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