TRS12E65C,S1Q - DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L
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DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für TRS12E65C,S1Q
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : TRS12E65C,S1Q
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 12A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 12A
Geschwindigkeit : No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 90µA @ 170V
Kapazität @ Vr, F : 65pF @ 650V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-220-2
Supplier Device Package : TO-220-2L
Betriebstemperatur - Übergang : 175°C (Max)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für TRS12E65C,S1Q
Datenblätter : TRS12E65C,S1Q.pdf
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