NGTB40N65FL2WG - IGBT 650V 80A 366W TO247
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Kurze Beschreibung
IGBT 650V 80A 366W TO247
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für NGTB40N65FL2WG
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NGTB40N65FL2WG
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : IGBT 650V 80A 366W TO247
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 160A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 40A
Leistung max : 366W
Energie wechseln : 970µJ (on), 440µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 170nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 84ns/177ns
Testbedingung : 400V, 40A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : 72ns
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3
Supplier Device Package : TO-247
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für NGTB40N65FL2WG
Datenblätter : NGTB40N65FL2WG.pdf
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