IPU80R3K3P7AKMA1 - MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3

Hersteller Teilenummer

IPU80R3K3P7AKMA1

Interne Teilenummer

AX-IPU80R3K3P7AKMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für IPU80R3K3P7AKMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPU80R3K3P7AKMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3

Serie : CoolMOS™ P7

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 Ohm @ 590mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 30µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5.8nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 120pF @ 500V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 18W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : PG-TO251-3

Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPU80 , IPU80R3K

Dokumente für IPU80R3K3P7AKMA1

Datenblätter : IPU80R3K3P7AKMA1.pdf

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