IPU80R3K3P7AKMA1 - MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
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Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
519555 Pieces
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Technische Daten für IPU80R3K3P7AKMA1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IPU80R3K3P7AKMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Serie :
CoolMOS™ P7
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.3 Ohm @ 590mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 30µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
5.8nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
120pF @ 500V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
18W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO251-3
Paket / fall :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IPU80R3K3P7AKMA1
Datenblätter :
IPU80R3K3P7AKMA1.pdf
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