BYV430J-600PQ - DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
36528 Pieces
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Technische Daten für BYV430J-600PQ
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BYV430J-600PQ
Hersteller : WeEn Semiconductors
Beschreibung : DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Cathode
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 30A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 2V @ 30A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 90ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V
Betriebstemperatur - Übergang : 175°C (Max)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package : TO-3P
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BYV430J-600PQ
Datenblätter : BYV430J-600PQ.pdf
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