APTC60HM70T3G - MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
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Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für APTC60HM70T3G
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
APTC60HM70T3G
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
70 mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 2.7mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
259nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
7000pF @ 25V
Leistung max :
250W
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
SP3
Supplier Device Package :
SP3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für APTC60HM70T3G
Datenblätter :
APTC60HM70T3G.pdf
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