TPN2R503NC,L1Q - MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

Hersteller Teilenummer

TPN2R503NC,L1Q

Interne Teilenummer

AX-TPN2R503NC,L1Q

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

856420 Pieces

Referenzpreis

~~USD 0.3276~~

Unser Preis

- (Bitte kontaktieren Sie uns für einen besseren Preis: [email protected])

AX Semiconductor hat TPN2R503NC,L1Q auf Lager zum Verkauf. Wir können innerhalb von 1-2 Tagen an Sie versenden. Bitte kontaktieren Sie uns für einen günstigeren Preis für TPN2R503NC,L1Q. Unsere E-Mail: [email protected]

Versandoptionen und Lieferzeit:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Zahlungsmöglichkeiten:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Technische Daten für TPN2R503NC,L1Q

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TPN2R503NC,L1Q

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

Serie : U-MOSVIII

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 40A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 500µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2230pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 700mW (Ta), 35W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-TSON Advance (3.3x3.3)

Paket / fall : 8-PowerVDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : TPN2 , TPN2R50

Dokumente für TPN2R503NC,L1Q

Datenblätter : TPN2R503NC,L1Q.pdf

Verwandte Produkte für TPN2R503NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	Marke	Beschreibung
PEF220WH10336BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK.
WF165270WJ75238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 14KV SCREW.
CDR35BP103BKUSAR	Vishay Vitramon	CAP CER 10000PF 100V BP 1825.
PZ0140WL10136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 16KV DISK.
WF165336WQ75233BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WI140316WQ75236BJ3	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WF135285WP50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV SCREW.
WX095162WJ25236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 2500PF 14KV SCREW.
CDR02BP221BKMSAB	Vishay Vitramon	CAP CER 220PF 100V BP 1805.
WF165335WL10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 16KV SCREW.
WF125300BH10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 10KV SCREW.
WF135272WL60238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 16KV SCREW.
SR152A2R2CAA	AVX Corporation	CAP CER 2.2PF 200V C0G/NP0 RAD.
BZ118078WV75036CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 75PF 30KV AXIAL.
WZ135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV.
WF165278WP60238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 20KV SCREW.
WF135242BQ25238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 2500PF 25KV SCREW.
WF135250WL50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.
TF170311WW40236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 32KV R85.
WI106266WP40236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 20KV SCREW.