TPN2R503NC,L1Q - MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

Hersteller Teilenummer

TPN2R503NC,L1Q

Interne Teilenummer

AX-TPN2R503NC,L1Q

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

856420 Pieces

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Technische Daten für TPN2R503NC,L1Q

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TPN2R503NC,L1Q

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

Serie : U-MOSVIII

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 40A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 500µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2230pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 700mW (Ta), 35W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-TSON Advance (3.3x3.3)

Paket / fall : 8-PowerVDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : TPN2R503NC,L1Q.pdf

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