FCA20N60-F109 - MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für FCA20N60-F109
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FCA20N60-F109
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
Serie : SuperFET™
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 98nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3080pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 208W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-3PN
Paket / fall : TO-3P-3, SC-65-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für FCA20N60-F109
Datenblätter : FCA20N60-F109.pdf
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