SQD07N25-350H_GE3 - MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA

Hersteller Teilenummer

SQD07N25-350H_GE3

Interne Teilenummer

AX-SQD07N25-350H_GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

632580 Pieces

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Technische Daten für SQD07N25-350H_GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SQD07N25-350H_GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 250V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1205pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 71W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252AA

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für SQD07N25-350H_GE3

Datenblätter : SQD07N25-350H_GE3.pdf

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