BSO080P03NS3EGXUMA1 - MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO

Hersteller Teilenummer

BSO080P03NS3EGXUMA1

Interne Teilenummer

AX-BSO080P03NS3EGXUMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1104140 Pieces

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Technische Daten für BSO080P03NS3EGXUMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BSO080P03NS3EGXUMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 14.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.1V @ 150µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 81nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6750pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.6W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-DSO-8

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : BSO080 , BSO080P03

Dokumente für BSO080P03NS3EGXUMA1

Datenblätter : BSO080P03NS3EGXUMA1.pdf

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