STD11NM65N - MOSFET N CH 650V 11A DPAK

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MOSFET N CH 650V 11A DPAK
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für STD11NM65N

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STD11NM65N
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N CH 650V 11A DPAK
Serie : MDmesh™ II
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 455 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 800pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 110W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DPAK
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für STD11NM65N

Datenblätter : STD11NM65N.pdf

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