APT1001R1BN - MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD

Hersteller Teilenummer

APT1001R1BN

Interne Teilenummer

AX-APT1001R1BN

Hersteller

Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

50694 Pieces

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Technische Daten für APT1001R1BN

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : APT1001R1BN

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD

Serie : POWER MOS IV®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 Ohm @ 5.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2950pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 310W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-247AD

Paket / fall : TO-247-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für APT1001R1BN

Datenblätter : APT1001R1BN.pdf

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