PMDPB56XN,115 - MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
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MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
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Technische Daten für PMDPB56XN,115
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : PMDPB56XN,115
Hersteller : NXP USA Inc.
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 73 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 170pF @ 15V
Leistung max : 510mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-UDFN Exposed Pad
Supplier Device Package : DFN2020-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für PMDPB56XN,115
Datenblätter : PMDPB56XN,115.pdf
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