SISS65DN-T1-GE3 - MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S
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Kurze Beschreibung
MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S
RoHS-Status
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Technische Daten für SISS65DN-T1-GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SISS65DN-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S
Serie : TrenchFET® Gen III
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 25.9A (Ta), 94A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 138nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4930pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerPAK® 1212-8S
Paket / fall : PowerPAK® 1212-8S
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SISS65DN-T1-GE3
Datenblätter : SISS65DN-T1-GE3.pdf
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