AIHD10N60RFATMA1 - IC DISCRETE 600V TO252-3
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Hersteller
Kurze Beschreibung
IC DISCRETE 600V TO252-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
485110 Pieces
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Technische Daten für AIHD10N60RFATMA1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
AIHD10N60RFATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
IC DISCRETE 600V TO252-3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
20A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
30A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.5V @ 15V, 10A
Leistung max :
150W
Energie wechseln :
190µJ (on), 160µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
64nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
12ns/168ns
Testbedingung :
400V, 10A, 26 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package :
PG-TO252-3-313
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für AIHD10N60RFATMA1
Datenblätter :
AIHD10N60RFATMA1.pdf
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