IPP039N04LGXKSA1 - MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für IPP039N04LGXKSA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPP039N04LGXKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 45µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 78nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6100pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 94W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO220-3-1
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : IPP03 , IPP039N0

Dokumente für IPP039N04LGXKSA1

Datenblätter : IPP039N04LGXKSA1.pdf

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