QJD1210010 - MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-QJD1210010
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für QJD1210010
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : QJD1210010
Hersteller : Powerex Inc.
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 10mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 500nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 10200pF @ 800V
Leistung max : 1080W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für QJD1210010
Datenblätter : QJD1210010.pdf
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