SIR410DP-T1-GE3 - MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SIR410DP-T1-GE3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SIR410DP-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
41nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1600pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
4.2W (Ta), 36W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® SO-8
Paket / fall :
PowerPAK® SO-8
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SIR410DP-T1-GE3
Datenblätter :
SIR410DP-T1-GE3.pdf
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