IS61DDB21M18A-300M3L - IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller Teilenummer

IS61DDB21M18A-300M3L

Interne Teilenummer

AX-IS61DDB21M18A-300M3L

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Kurze Beschreibung

IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

24143 Pieces

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Technische Daten für IS61DDB21M18A-300M3L

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IS61DDB21M18A-300M3L

Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Beschreibung : IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

Serie : -

Teilestatus : Active

Speichertyp : Volatile

Speicherformat : SRAM

Technologie : SRAM - Synchronous, DDR II

Speichergröße : 18Mb (1M x 18)

Taktfrequenz : 300MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -

Zugriffszeit : -

Speicherschnittstelle : Parallel

Spannungsversorgung : 1.71V ~ 1.89V

Betriebstemperatur : 0°C ~ 70°C (TA)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 165-LBGA

Supplier Device Package : 165-LFBGA (13x15)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IS61DDB21M18A-300M3L

Datenblätter : IS61DDB21M18A-300M3L.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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