BSC065N06LS5ATMA1 - MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON
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Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für BSC065N06LS5ATMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BSC065N06LS5ATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 64A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 20µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 46W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TDSON-8
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BSC065N06LS5ATMA1
Datenblätter : BSC065N06LS5ATMA1.pdf
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