SIZ342DT-T1-GE3 - MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3

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MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3
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Technische Daten für SIZ342DT-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SIZ342DT-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : -
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 15.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.5 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 650pF @ 15V
Leistung max : 3.6W, 4.3W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerWDFN
Supplier Device Package : 8-Power33 (3x3)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : SIZ34 , SIZ342D

Dokumente für SIZ342DT-T1-GE3

Datenblätter : SIZ342DT-T1-GE3.pdf

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