N0603N-S23-AY - MOSFET N-CH 60V 100A TO-262

Hersteller Teilenummer

N0603N-S23-AY

Interne Teilenummer

AX-N0603N-S23-AY

Hersteller

Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 100A TO-262

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

530160 Pieces

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Technische Daten für N0603N-S23-AY

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : N0603N-S23-AY

Hersteller : Renesas Electronics America

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 100A TO-262

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 133nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7730pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.5W (Ta), 156W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-262

Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : N060 , N0603N

Dokumente für N0603N-S23-AY

Datenblätter : N0603N-S23-AY.pdf

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