TSM120N10PQ56 RLG - MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für TSM120N10PQ56 RLG
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
TSM120N10PQ56 RLG
Hersteller :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
58A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
145nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3902pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
36W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-PDFN (5x6)
Paket / fall :
8-PowerTDFN
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für TSM120N10PQ56 RLG
Datenblätter :
TSM120N10PQ56 RLG.pdf
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