BSF134N10NJ3GXUMA1 - MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2

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Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für BSF134N10NJ3GXUMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BSF134N10NJ3GXUMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 40µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2300pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.2W (Ta), 43W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / fall : 3-WDSON
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : BSF134 , BSF134N10

Dokumente für BSF134N10NJ3GXUMA1

Datenblätter : BSF134N10NJ3GXUMA1.pdf

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