FGD3N60UNDF - IGBT 600V 6A 60W DPAK

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IGBT 600V 6A 60W DPAK
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für FGD3N60UNDF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FGD3N60UNDF
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : IGBT 600V 6A 60W DPAK
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : NPT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 6A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 9A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.52V @ 15V, 3A
Leistung max : 60W
Energie wechseln : 52µJ (on), 30µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 1.6nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 5.5ns/22ns
Testbedingung : 400V, 3A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : 21ns
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package : TO-252, (D-Pak)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : FGD , FGD3N

Dokumente für FGD3N60UNDF

Datenblätter : FGD3N60UNDF.pdf

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