IPS12CN10LGBKMA1 - MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11
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MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11
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Technische Daten für IPS12CN10LGBKMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPS12CN10LGBKMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 69A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.8 mOhm @ 69A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 83µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5600pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 125W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO251-3
Paket / fall : TO-251-3 Stub Leads, IPak
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IPS12CN10LGBKMA1
Datenblätter : IPS12CN10LGBKMA1.pdf
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