IXFP56N30X3M - FET N-CHANNEL

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FET N-CHANNEL
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Technische Daten für IXFP56N30X3M

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXFP56N30X3M
Hersteller : IXYS
Beschreibung : FET N-CHANNEL
Serie : HiPerFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 300V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 56A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3750pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 36W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220 Isolated Tab
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : IXFP , IXFP56

Dokumente für IXFP56N30X3M

Datenblätter : IXFP56N30X3M.pdf

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