FDMS2D4N03S - MOSFET N-CH 30V 163A 8PQFN

Hersteller Teilenummer

FDMS2D4N03S

Interne Teilenummer

AX-FDMS2D4N03S

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 163A 8PQFN

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

720720 Pieces

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Technische Daten für FDMS2D4N03S

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDMS2D4N03S

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 163A 8PQFN

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 163A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 88nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6540pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 75W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-PQFN (5x6), Power56

Paket / fall : 8-PowerSMD, Flat Leads

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : FDM , FDMS2

Dokumente für FDMS2D4N03S

Datenblätter : FDMS2D4N03S.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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