SI4500BDY-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC
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Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für SI4500BDY-T1-GE3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SI4500BDY-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N and P-Channel, Common Drain
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.6A, 3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 9.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Leistung max :
1.3W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SI4500BDY-T1-GE3
Datenblätter :
SI4500BDY-T1-GE3.pdf
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