NTBS2D7N06M7 - NMOS D2PAK 60V 2.7 MOHM

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NMOS D2PAK 60V 2.7 MOHM
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für NTBS2D7N06M7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NTBS2D7N06M7
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : NMOS D2PAK 60V 2.7 MOHM
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 110A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6655pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 176W (Tj)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D²PAK (TO-263)
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : NTBS2D7N06M7.pdf

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