IXFB210N30P3 - MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264

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MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264
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Technische Daten für IXFB210N30P3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXFB210N30P3
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264
Serie : HiPerFET™, Polar3™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 300V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 210A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 105A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 268nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 16200pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1890W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PLUS264™
Paket / fall : TO-264-3, TO-264AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : IXFB210N30P3.pdf

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