HUFA76413DK8T-F085 - MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für HUFA76413DK8T-F085
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
HUFA76413DK8T-F085
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
Serie :
Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
49 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
620pF @ 25V
Leistung max :
2.5W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SOIC
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für HUFA76413DK8T-F085
Datenblätter :
HUFA76413DK8T-F085.pdf
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