TSM250N02DCQ RFG - MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN
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MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN
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Technische Daten für TSM250N02DCQ RFG
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : TSM250N02DCQ RFG
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 775pF @ 10V
Leistung max : 620mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-VDFN Exposed Pad
Supplier Device Package : 6-TDFN (2x2)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für TSM250N02DCQ RFG
Datenblätter : TSM250N02DCQ RFG.pdf
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