NVD6416ANLT4G-001 - MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3

Hersteller Teilenummer

NVD6416ANLT4G-001

Interne Teilenummer

AX-NVD6416ANLT4G-001

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

52956 Pieces

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Technische Daten für NVD6416ANLT4G-001

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : NVD6416ANLT4G-001

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 19A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 74 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 71W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DPAK-3

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für NVD6416ANLT4G-001

Datenblätter : NVD6416ANLT4G-001.pdf

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