SI7119DN-T1-GE3 - MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
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MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
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Technische Daten für SI7119DN-T1-GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI7119DN-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 666pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur : -50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerPAK® 1212-8
Paket / fall : PowerPAK® 1212-8
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SI7119DN-T1-GE3
Datenblätter : SI7119DN-T1-GE3.pdf
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