DMN2990UFO-7B - MOSFET N-CH 20V 750MA X2DFN0604

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MOSFET N-CH 20V 750MA X2DFN0604
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Technische Daten für DMN2990UFO-7B

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMN2990UFO-7B
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 750MA X2DFN0604
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 750mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 990 mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.41nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 31pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 840mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : X2-DFN0604-3
Paket / fall : 3-XFDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für DMN2990UFO-7B

Datenblätter : DMN2990UFO-7B.pdf

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